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NXP Semiconductors
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab061
Fig 10. PESD5Z3.3: Clamped +8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab063
Fig 12. PESD5Z5.0: Clamped +8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
PESD5ZX_SER_2
PESD5Zx series
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab062
Fig 11. PESD5Z3.3: Clamped ? 8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
vertical scale = 20 V/div
horizontal scale = 100 ns/div
GND
006aab064
Fig 13. PESD5Z5.0: Clamped ? 8 kV ESD pulse
waveform (IEC 61000-4-2 network)
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 April 2008
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PESD5Z2.5,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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PESD5Z3.3 T/R 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
PESD5Z3.3,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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PESD5Z5.0 T/R 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C